МАГНИТОПЛАСТИЧНОСТЬ КРЕМНИЯ: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ
- Подробности
- Автор: Cкворцов А.А., Корячко М.В., Каризин А.В.
- Родительская категория: Ежемесячный научный журнал №11 (12-13.12.2014)
- Категория: ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
- Просмотров: 238
АННОТАЦИЯ Работа посвящена изучению влияния магнитных полей на механические характеристики монокристаллов кремния (магнитопластический эффект). В работе рассматриваются экспериментальные данные по влиянию предварительной выдержки образцов в постоянном магнитном поле на динамику дислокаций. Обнаружено, что предвари- тельная выдержка образцов в постоянном магнитном поле существенно влияет на динамику дислокаций в монокристаллических пластинах кремния n- и р-типа проводимости. Это проявляется в увеличении подвижности дислокаций в поле внешних сил. С целью выявления механизмов наблюдаемых явлений, в работе обсуждаются результаты экспериментов по влиянию постоянного и скрещенного с ним переменного сверхвысокочастотного магнитных полей на подвижность дислокаций в монокристаллах кремния р-типа. Обнаруженная резонансная зависимость пробегов от индукции постоянного магнитного поля свидетельствует о том, что первичные элементарные процессы магнитопластических эффектов являются спин-зависимыми в монокристаллах кремния.
ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ И РАСПРОСТРАНЕНИЯ ТРЕЩИН ВБЛИЗИ ЛОКАЛЬНОГО ТЕПЛОВОГО ИСТОЧНИКА НА ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИК И ПОЛУПРОВОДНИКОВ
- Подробности
- Автор: Зуев С.М., Cкворцов А.А., Корячко М.В.
- Родительская категория: Ежемесячный научный журнал №11 (12-13.12.2014)
- Категория: ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
- Просмотров: 204
АННОТАЦИЯ В статье рассмотрены методы оценки работоспособности системы металл - диэлектрическая подложка с точки зрения их разрушения в условии теплового удара, создаваемого одиночными импульсами тока (плотностью j до 8·1011А/м2 и длительностью до 800 мкс), пропускаемыми через тонкую пленку проводника (толщиной до 1 мкм), напыленную на поверхность материала. Большое внимание уделено теоретическим аспектам процессов разрушения, анализу полей напряжения у надрезов и трещин, а также применению механики разрушения к анализу проблем распространения трещин в слоях металлизации при воздействии на структуру токовых импульсов.
ЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕССОР
- Подробности
- Автор: Бодриков Д.О., Волченков Н.Г., Попов С.В., Спиридонов В.Ю.
- Родительская категория: Ежемесячный научный журнал №11 (12-13.12.2014)
- Категория: ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
- Просмотров: 230
АННОТАЦИЯ Описывается схема на LabView устройства нахождения единичных означиваний булевских формул (логического процессора). Входом логического процессора служит булевская формула в матричном виде, выходом – набор ее единичных означиваний, также представленных в виде матрицы. Метод построения единичных означиваний булевской формулы, используемый в логическом процессоре, – построение обратной матрицы.
